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研究InSb磁电阻传感器在弱磁场下的交流特性(倍频效应)

2026年01月06日 13:58:12 人气: 315 来源: 北京中慧天诚科技有限公司
  • 实验项目:
    1.测量锑化铟传感器的电阻与磁感应强度的关系;
    2.作出锑化铟传感器的电阻变化与磁感应强度的关系曲线;
    3.对此关系曲线的非线性区域和线性区域分别进行拟合;
    4.研究InSb磁电阻传感器在弱磁场下的交流特性(倍频效应),观测其物理现象。(拓展试验)
    规格参数:
    励磁电流:0-800mA,三位半数.数显分辨率1mA;
    电压测量:0-1999.9mV,四位半数显;
    直流电源:0-3mA,连续可调;
    双线圈电磁铁磁场
    水平位移:0-70mm,精度±0.1mm;
    垂直位移:0-30mm,精度±0.1mm;
    配磁阻效应实验模板
    仪器组成:
    恒流与电压测量仪、电磁铁磁场、磁阻效应实验模板,采用组合式结构。
    注:另配示波器、交流信号源可升级完成拓展实验内容:研究InSb磁电阻传感器在弱磁场下的交流特性(倍频效应),观测其物理现象。

磁阻效应实验仪

型号:UKMR-2


关键词: 磁阻效应实验仪
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