图1中的简单
晶体管测试仪可以判断出晶体管的类型，并且能帮助检测出晶体管的发射极、集电极和基极。其方法是检查被测晶体管三个端子T1、T2和T3之间流过的各种可能电流方向的组合。
电路使用两只CD4022或CD4017计数器IC1和IC2；一只单门方波振荡器G4；以及一个CD4011四与非门，G1至G3。每个测试端子串接一对LED，用于指示电流的方向。LED的颜色直接表示出晶体管的结端。
图2是一个简单示意图，有助于理解测试的过程。每个端子都有一对NPN晶体管Q1与Q3和PNP晶体管Q4与Q6，连接到-V或+V上，它们在端子之间建立了所需电势差。电路生成端子之间所有可能或需要的+V与-V组合，以建立起结的关系。Q7和Q8作为电压转换器，而G1至G3是抑制器，防止T1至T3出现同时为+V和-V的冲突情况。
当一只正常晶体管插在测试端子之间时，它限制电流只能沿某些方向流动。串联的LED表示出这些方向，因此指示出了晶体管的类型。例如，对NPN晶体管，LED发光为红-绿-红；而对PNP晶体管，发光为绿-红-绿。
了解这点以后，就能轻松地选择出晶体管的基极。至于集电极与射极的区别，必须了解其特性，即在反偏时，基-射结的击穿要比基-集电极结更容易，后者在正常工作情况下是反偏的。
由于晶体管的基-集电极反偏击穿电压各不相同，因此电路提供了一种改变电源电压的简单方式(图3)。随着电压的升高，与发射极连接的两只LED都发光，而集电极只有一个LED发光(图2中b和d)。±4V的基本电压足够用于检测晶体管的基极或类型。如将电源电压从±4V增至±15V，就可以测试很多种晶体管的发射极。考虑到串联LED的压降，这个范围可为基射结提供zui高26V以上的反向击穿电压。
本电路经过了测试，可正常工作。但是，测试时采用的是CD4520计数器与CD4028解码器(因为手头没有CD4022/CD4017IC)，这种替换应该不成问题。关键是电压电平，对CMOS器件的逻辑1或逻辑0来说，它们基本是相同的。另外，也可以只采用两个电源电压：±5V用于检测基极，±15V用于检测射极。
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